采用特殊照明方式的高/超高数值孔径（NA）的193nm光刻机和相位移掩膜版（PSM），使得光刻分辨率的极限达到了32nm节点。不利的因素是掩膜的复杂度正在以指数级递增，而业界又迫切需要通过精确的相位控制以达到必需的高成品率。

　　光刻机成像平面的相位受到其本身的数值孔径、掩膜的斜率和3D掩膜效应极大的影响，特别是当特征尺寸接近分辨率极限的时候。在45nm和32nm节点，为了确保精确的刻写PSM并获得足够的成品率，有必要测量产品特征中与光刻机相关的相位。然而控制需要精准的测量，直到现在相位的测量依然使用基于干涉仪的测量工具。如此产生的问题是，评估相位必须使用比产品特征高数量级的参考特征，这些测量平台将受到局限。高分辨率原子力显微镜（AFM）也被迫面临这样的问题。虽然它们能够测量产品相关特征中的刻蚀深度，但是却无法描述3D掩膜效应。两种方法都无法获得由数值孔径（NA）、掩膜斜率和严格的3D掩膜效应产生的衍射限度。