试制的CMOS传感器像素间隔为3.45μm，在采用背面照射技术的产品中较小。与不使用背面照射技术时相比，对于550nm的光线，感光度提高了34%。设计工艺为0.25μm，包括1层多晶硅和3层布线层。另一个特点是配置布线的位置自由度较大。 

　　而日本东北大学和日本德州仪器组成的研究小组使CMOS传感器的动态范围（1帧内可拍摄对象的照度范围）逼近极限（演讲序号：16.7）。具体约为10-2lx～108lx，按对数换算约为200dB。 

　　CMOS传感器上没有设计调节光量的光圈。为了积蓄在强光射入时所产生的电荷，在光电转换部分的旁边设计了电容器。假如是普通结构，这些电